SK hynix telah mengumumkan teknologi terbaru mereka, yaitu UFS 4.1 dengan desain 321-layer TLC NAND flash yang dirancang khusus untuk smartphone. Teknologi ini menawarkan kecepatan, efisiensi daya, dan desain fisik yang lebih ramping dibandingkan dengan generasi sebelumnya. Dibandingkan dengan model 238-layer sebelumnya, kecepatan random read meningkat 15% dan random write hingga 40%. Kecepatan baca sekuensial mencapai 4,3GB per detik, yang merupakan batas maksimum dari antarmuka UFS 4.1. Chip NAND ini juga lebih tipis, hanya 0,85mm, dibandingkan dengan sebelumnya 1mm, yang sangat signifikan terutama bagi produsen smartphone yang ingin membuat perangkat lebih ramping tanpa mengurangi performa. Efisiensi daya juga meningkat sekitar 7%, menyebabkan penggunaan baterai yang lebih hemat dan suhu perangkat lebih rendah. Peningkatan kecepatan akan mempercepat pemuatan model AI ke RAM dan mendukung multitasking yang lebih lancar. Chip UFS 4.1 akan hadir dalam kapasitas 512GB dan 1TB, tanpa pilihan 256GB. Produksi massal akan dimulai pada kuartal pertama 2026, sementara SK hynix sedang mencari mitra produsen smartphone dan juga mengembangkan versi 321-layer untuk SSD baik untuk penggunaan rumahan maupun data center.
SK hynix UFS 4.1 321-Layer: Inovasi Smartphone Terupdate

Read Also
Recommendation for You

Huawei memperkenalkan Watch Ultimate 2 sebagai penerus generasi pertamanya, dengan peningkatan yang menarik terutama bagi…