Samsung telah mengumumkan teknologi chip memori non-volatile terbaru mereka yang disebut Ferroelectric Field-Effect Transistor atau FeFET. Teknologi ini dianggap sebagai terobosan besar dalam industri semikonduktor karena mampu meningkatkan kapasitas penyimpanan tanpa menambah konsumsi daya yang tinggi seperti yang terjadi pada chip NAND.
Dengan struktur NAND yang membuat beberapa sel memori saling terhubung, konsumsi daya menjadi masalah utama. Namun, FeFET yang dikembangkan oleh tim riset Samsung menggunakan material ferolektrik kombinasi dari hafnia dan zirkonium yang mampu mempertahankan muatan listrik tanpa memerlukan daya eksternal. Dengan kemampuan ini, chip FeFET dapat menyimpan hingga lima bit data per sel dengan konsumsi daya yang rendah.
Dalam uji coba yang dilakukan, teknologi FeFET berhasil mengurangi penggunaan daya hingga 96% dibandingkan dengan chip NAND konvensional. Selain itu, FeFET juga dapat berfungsi dengan stabil dalam desain tiga dimensi yang sangat kecil, bahkan pada ukuran 25 nanometer. Hal ini membuka peluang besar untuk pengembangan chip yang lebih padat, cepat, dan hemat energi di masa depan.
Samsung telah menyebut FeFET sebagai teknologi memori non-volatile masa depan dengan kapasitas besar dan efisiensi daya yang luar biasa. Meskipun masih dalam tahap riset, jika teknologi ini berhasil diterapkan ke produk komersial, FeFET memiliki potensi untuk menjadi solusi ideal bagi industri kecerdasan buatan yang membutuhkan penyimpanan berkapasitas besar.
