Huawei sedang menggarap dua jenis chip 3nm kelas atas di tengah sanksi Amerika Serikat yang masih membatasi akses perusahaan China terhadap teknologi canggih. Raksasa teknologi Tiongkok ini menggunakan dua pendekatan pengembangan yang berbeda untuk chip 3nm mereka. Pertama, desain berbasis Gate-All-Around (GAA) FET yang menjanjikan efisiensi daya dan performa lebih tinggi. Kedua, eksperimen dengan material nanotube karbon yang diharapkan bisa mengalahkan silikon konvensional. Meskipun progresnya masih misterius, Huawei telah merilis chip Kirin X90 yang dibuat dalam negeri oleh SMIC menggunakan teknologi DUV multi-patterning. Namun, produksi chip ini hanya mencapai yield sekitar 20 persen tanpa bantuan mesin EUV dari ASML.
Huawei telah menginvestasikan USD 37 miliar untuk membangun teknologi EUV dalam negeri, dengan harapan bisa siap pada tahun 2026. Meskipun optimisme muncul di media sosial, skeptisisme juga terasa mengingat dominasi ASML yang sulit untuk dikejar. Huawei berencana untuk tape-out chip GAA pada tahun 2026 dan memulai produksi massal pada tahun 2027, bergantung pada kemampuan mereka dalam menangani hambatan teknis seperti yield dan ketergantungan pada teknologi lama. Jika proyek ini berhasil, Huawei mungkin bisa mendekati TSMC dan Samsung namun perusahaan ini tetap merahasiakan perkembangan proyek chip 3nm dan teknologi EUV mereka.
